HXY MOSFET NDS331N-HXY دیتاشیت

HXY MOSFET NDS331N-HXY

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY MOSFET NDS331N-HXY
حجم فایل 57.196 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY MOSFET NDS331N-HXY

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 55mΩ
  • Ciss-Input Capacitance: 260pF
  • Pd - Power Dissipation: 900mW
  • Drain to Source Voltage: 20V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Current - Continuous Drain(Id): 2.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 1.2V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 27pF
  • Package: SOT-23

محصولات مشابه